Памятка:

• USB diff — 90 Ω, одиночная линия 45 Ω
• SDIO 2.0 — 50 Ω одиночная линия. CLK и CMD в стороне от шины данных. «Следует избегать близкого расположения линии SDIO_CLK.»
• XFI diff — 100 Ω, одиночная линия 50 Ω

Опорные плоскости

При проектировании высокоскоростных цифровых систем следует избегать маршрутизации сигналов через разрывы в опорной плоскости. Всегда необходимо учитывать всю токовую петлю от выхода передатчика и обратно, включая обратный ток в земляном полигоне, или другой опорной плоскости.

Путь, по которому ток идет от выхода передатчика к приемнику, обычно хорошо определен. Однако путь обратного тока часто может быть более сложным. На низких частотах преобладает сопротивление в опорной плоскости, и обратный ток будет равномерно распределен по всей опорной плоскости. При более высоких частотах начинает играть роль индуктивности в цепи обратного тока, и с увеличением частоты обратный ток старается идти по пути, максимально близкому к трассировке сигнала.

Однако, если трассировка сигнала пересекает разрыв в опорной плоскости, обратный ток будет вынужден пройти более длинный путь, что увеличит площадь петли, вызовет излучение и сделает систему более чувствительной к помехам.

Если невозможно избежать пересечения с разрывом в опорной плоскости, следует предоставить хороший путь для обратного тока высокой частоты. Например, можно соединить две опорные плоскости конденсатором (например, 100 нФ в корпусе 0603 или меньшего размера) для каждой трассы, находящейся близко к трассировке высокой скорости. Также можно использовать плоскость напряжения в качестве опорной плоскости для высокоскоростного сигнала, при условии обеспечения правильного пути для обратного тока.

При переходе из одной опорной плоскости в другую угол перехода должен составлять 90 градусов.

Так же при трассировке высокоскоростных интерфейсрв стоит придерживаться правил, позволяющих сохранить величину импеданса и избежать перекрестных помех;

3W от перекрестных помех.

3H для опорного полигона, для сохранения единого импеданса трассы.

а так же:
Свободное пространство 8W и более от земляных полигонов и тактирующих линий на том же слое.
Свободное пространство 6W и более между дифпарами.